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三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产
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SK海力士研发成功全球首款321层NAND芯片,开创存储领域新纪元
遗憾!国产NAND闪存芯片崛起,但全球份额还不到4%
SK海力士宣布321层1TB TLC4D NAND闪存技术,预计2025年上半期量产
三星计划提高512Gb NAND闪存晶片价格,涨幅达15%
SK海力士决定扩大NAND产品的减产规模以应对市场供需平衡
集邦:第三季NANDFlash均价预估将续跌3~8%
238层4D NAND已量产,进入智能手机产品验证
消息称三星将提升NAND晶圆价格 或挤压模组制造商利润
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