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SAMSUNG/三星内存芯片K4UCE3Q4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装
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SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HM-MHCJ 数据传输速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装
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