SAMSUNG/三星内存芯片K4F6E3S4HM-TFCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-TUCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-THCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F2E3S4HA-TFCL 数据传输速度更快，而且能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

BM04B-NSHSS-TBT(LF)(SN)

BM07B-PASS-TFT(LF)(SN)

S5B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

SM07B-GHS-TB(LF)(SN)

B6B-ZR-SM4-TF(LF)(SN)

SM07B-PASS-1-TBT(LF)(SN)

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4EBE304ED-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

B20B-PHDSS(LF)(SN)

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E8E324ED-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E6E304ED-EGCG 容量 16GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4EBE304EC-EGCG 容量 32GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

FH12-8S-0.5SH(55)

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E8E324EB-EGCG 容量 8GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

专业SAMSUNG/三星内存芯片K4E6E304EC-EGCG 容量16GB 速率2133Mbps 电压1.8V~1.2V 温度-25~+85°LPDDR3 178FBGA 封装

B5B-PH-K-S(LF)(SN)

FH12-50S-0.5SVA(54)

SLF-01T-1.3E

BM10B-GHS-TBT(LF)(SN)

SM06B-PASS-1-TBT(LF)(SN)

SM03B-SRSS-TB(LF)(SN)

SM02B-BHSS-1-TB(LF)(SN)