Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。