中国北京,2024年12月5日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术:基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台,X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP,并配备额外的4Kbit EEPROM。此外,从2025年起,X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPROM。